Nvidia ap ranplase garnitur yo sou chips li yo: pwochen chan batay la nan konsepsyon tèmik se ti diferans ki genyen nan milimèt ant chip la ak plak frèt la.
Kite yon mesaj
Kòmanse ak chanjman Rubin a nan kousinen tèmik grafit, se pou yo diskite sou poukisa materyèl koòdone tèmik te toudenkou vin konsantre nan.
Nan 2026, refwadisman chip AI te revolisyone konpreyansyon nou an. Premyèman, tradisyonèlman "konsèvatif" NVIDIA te anonse ke platfòm Vera Rubin li a ta sèvi ak 45 degre dlo tyèd likid refwadisman-sant done yo pa bezwen ankò yo icebox. Lè sa a, sous chèn ekipman pou konfime ke estanda Rubin vèsyon an (TDP 1800-2000W) abandone metal likid nan dènye minit anvan pwodiksyon an mas, chanje antyèman nan gwo kousinen grafit konduktiviti tèmik. Sèlman Ultra anlè--vèsyon an-liy (2500–2850W) te kenbe solisyon ekstrèm metal likid ak yon plak frèt mikwochanèl.
Lè w gade de evènman sa yo ansanm, nou revele yon siyal ki pi enpòtan: kòm yon sèl -konsomasyon pouvwa kat te monte soti nan 700W pou H100 a rive nan nivo 2000W, kou boutèy la nan dissipation chalè a pa t 'ankò "si etajè sèvè a te kapab kenbe fre," men pito nan yon zòn ki pi mikwoskopik-koòdone ant plak la, yon dizyèm milimèt ak kèk milimèt. Refwadisman likid retire chalè nan plak frèt la, men chalè a dwe premye kapab "antre" plak frèt la. Pa gen pwoblèm ki jan lis chip yo ak sifas plak frèt yo, anba agrandisman, yo tout twou vid ki genyen mikwoskopik, ak lè ki nan twou vid sa yo se youn nan pi move kondiktè tèmik yo.
Vera Rubin (vèsyon estanda) gen yon TDP 1800–2000W, epi anvan pwodiksyon an mas, li abandone metal likid epi ranplase li ak kousinen tèmik ki baze sou grafit-;
Vèsyon Ultra anlè--liy-la gen yon TDP 2500–2850W, li kenbe metal likid + plak frèt mikwochanèl, epi li te antre nan pwodiksyon an mas nan Q3.
-Site nan rapò piblik yo
Chan batay 1-milimèt sa a se materyèl koòdone tèmik (TIM). Kondisyon yo pou kousinen yo aktyèlman trè sevè: konduktiviti rapid -konduktiviti tèmik la dwe kenbe ak dansite pouvwa chip la; konpakte-mou ase ak ba-estrès pou ranpli sifas inegal san yo pa domaje chip la; ak estabilite-nan ekipman elektrik ki gen gwo pouvwa, nouvo pake batri enèji, ak estasyon baz 5G, izolasyon ak flanm dife yo se minimòm, pa bonis. Sa a se jisteman poukisa nou te kreye seri a DP. Shengtong Qiyuan pa ofri yon sèl, inivèsèl aplikab tèmik pad; olye de sa, nou te devlope yon liy pwodwi konplè nan kousinen silikon tèmik kondiktif ki kouvri diferan nivo pouvwa, sa ki pèmèt enjenyè yo chwazi modèl la bon pou bezwen yo, olye ke jis itilize tou sa ki disponib.
Shengtong Qiyuan segondè tèmik konduktivite seri silikon kousinen
Twa diferans ki genyen ant nou ak kousinen silikon òdinè tèmik kondiktif
Diferans 1: konduktiviti tèmik varye ant 1.5 ak 25 W/m·k, ak 17 modèl atravè yon seri sèl.
Soti nan DP150 a DP2500: ranje estanda 1.5-5.0, konduktiviti segondè 6.0-10.0, ultra-wo konduktivite 12/15/18, ak bato DP2500 la reyalize 25±1 W/m·k. Tout modèl yo inifye anba seri DP-Pad, ak konduktiviti tèmik kwa-valide dapre toude estanda ASTM D5470 ak ISO 22007-2. Pwojè a amelyore soti nan dissipation chalè konvansyonèl yo ale nan ultra-gwo pouvwa san yo pa bezwen chanje founisè oswa re-tès materyèl. Yo ka bay lòd pou epesè jiska 20mm, epi yo sipòte koupe ak mouri -koupe. Substra vèr konpoze, yon sèl / doub-sided silikone fè bak, oswa fè bak adezif ka Customized jan sa nesesè.
Dezyèm diferans lan se ke pandan y ap reyalize segondè konduktiviti tèmik, izolasyon ak reta flanm dife yo pa konpwomèt. Yon obstak komen nan endistri a se ke "segondè konduktiviti tèmik vini nan pri a nan izolasyon." Modèl DP ultra-wo konduktiviti tèmik kenbe yon vòltaj ki pi gran pase oswa egal a 6 KV/mm ak yon rezistans volim ki pi gran pase oswa egal a 10¹³ Ω·cm nan 12–18 W/m·k; modèl estanda DP a gen yon vòltaj kenbe menm pi wo ki pi gran pase oswa egal a 10 KV / mm. Tout modèl satisfè UL94 V-0 flame retardancy Rating ak RoHS / REACH kondisyon anviwònman an. Avèk nouvo estanda nasyonal la pou anviwònman sekirite batri "pa gen okenn dife oswa eksplozyon apre yo fin sove tèmik" kòm yon liy wouj obligatwa, izolasyon ak retardans flanm dife yo pa opsyonèl ankò pou kliyan otomobil ak ekipman pou pouvwa.
Diferans 3: Ultra-mou ak ba-estrès, efektivman pwoteje ak sipòte chip la.
Avèk yon dite Shore 00 osi ba ke 20-30, sifas la se yon ti kras adezif, montre ekselan rezistans konpresyon ak yon elongasyon maksimòm nan kraze nan 105%. Li adhere parfe ak chalè-modil jenere ak epesè inegal ak sifas, pa kite okenn espas lè. Ba estrès deformation anpeche domaj nan chip yo ak jwenti soude, epi li gen mwens tandans fè fann ak echèk menm anba alontèm operasyon tanperati ki wo ak ba ak repete demonte ak reyaji.
Pwochen etap nan dissipation chalè: materyèl koòdone.
Kat grafik pèfòmans segondè ak kat akseleratè AI, gwo -founiti elektrik endistriyèl, estasyon baz 5G ak modil optik, OBC ak nouvo pake batri enèji-nan senaryo sa yo, seri DP fè menm bagay la: pwoteje dènye dizyèm milimèt anvan plak frèt la. Ranplasman NVIDIA nan gasket Rubin a se pa yon mistè, men yon chwa jeni klè: lè dansite pouvwa fin itilize potansyèl la nan refwadisman lè ak refwadisman likid, sa ki vrèman detèmine limit siperyè diferans tanperati a se premye etap la nan retire chalè nan chip la.
Si w ap evalye tou solisyon dissipation chalè pou gwo-modil pouvwa, pa ezite kontakte nou ak dyagram estriktirèl ou a. Di nou pouvwa, epesè, ak izolasyon kondisyon ou yo, epi nou pral dirèkteman ede w jwenn opsyon ki pi apwopriye nan seri DP a -kèlkeswa sa ou bezwen, nou pral genyen li.
